题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V
A.0.3
B.0.7
C.1
提问人：网友lixin080108
发布时间：2022-01-07
如搜索结果不匹配，请 
A．0.3
B． 0.7
C． 1
题目内容
（请给出正确答案）
您可能会需要：
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高…”相关的问题
第2题
二极管最主要的特性是___________ 。在常温下,硅二极管的开启电压约___________ V,导通后在较大电流下的正向压降约___________V;锗二极管的开启电压约___________ V,导通后在较大电流下的正向压降约___________ V
第4题
常温下，硅二极管的开启电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V;锗二极管的开启电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V。
A．0.5
B．0.7
C．0.1
D．0.2
第5题
对于二极管，以下说法不正确的是 。
A．二极管加正向电压时，二极管就导通
B．二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C．二极管的正向导通压降，硅管比锗管高
D．同样外部条件下，硅管的反向饱和电流比锗管小
第6题
下列哪项不正确
A．锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小
B．锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点
C．二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加
D．二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通。
第9题
硅三极管发射结的死区电压约__________V,锗三极管发射结的死区电压约_________V。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约_________V,锗管发射结的导通电压约_________V
