题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是下面哪一个?
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
提问人:网友hp198410
发布时间:2022-01-07
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
A、驱动电路对装置的影响有:缩短开关时间、减少损耗,提高装置的运行效率、安全性、可靠性。
B、器件过电压成因有外因与内因,外因为换相、关断过电压;内因为操作、雷击过电压。
C、过压保护一般用避雷器即可。
D、过流保护一般用压敏电阻即可。
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