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测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管（)。
测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管()。
提问人：网友zhengyytt
发布时间：2022-01-06
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第6题
测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）
A.在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ（%）最大值0.7（500kV套管0.5）；
B. 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型电容式气体tanδ（%）最大值1.5；
C. 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ（%）最大值2.0；
D. 在室温不低于10℃的条件下，套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tanδ（%）最大值由供需双方商定；
E. 电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在±5%范围内。
