题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

下列不属于全控型器件的是（）

A．IGBT

B．Power MOSFET

C．晶闸管

D．电力二极管

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07

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第1题

普通晶闸管、功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管均属于全控型电力电子器件。

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第2题

从下列图形符号中选出全控型电力电子器件的图形符号填在括号内（）

A、

B、

C、

D、

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第3题

1、晶闸管属于( )

A、全控型器件

B、场效应器件

C、半控型器件

D、不控型器件

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第4题

下列元器件中，( )属于不控型，( )属于全控型，( )属于半控型。

a．普通晶闸管 b．整流二极管

c．逆导晶闸管 d．大功率晶体管

e．绝缘栅场效应晶体管 f．达林顿复合管

g．双向晶闸管 h．肖特基二极管

i．可关断晶闸管 j．绝缘栅极双极型晶体管

k．MOS控制晶闸管 l．静电感应晶闸管

m．静电感应晶体管

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第5题

以下不属于全控型器件的电力电子器件是（）。

A、SCR

B、MOSFET

C、IGBT

D、GTR

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第6题

下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。

A、P-MOSFET

B、SIT

C、GTR

D、IGBT

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第7题

GTR和MOSFET都是电流控制型器件。

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第8题

下列属于全控型的电力电子器件是___________

A．GTO

B．GTR

C．MOSFFET

D．IGBT

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第9题

以下关于典型全控型器件描述不正确的是()

A．GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。

B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

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