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[单选题]
非均匀形核时形核功的大小和接触角θ的大小有关,而接触角又与形核基底与晶核的界面能σnw、液相的表面能σnl以及液相与形核基底的界面能σlw有关,若（）
A.σnw越小,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易
B.σnl越大,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易
C.σnw越大,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易
D.σlw越小,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易
提问人：网友lixin080108
发布时间：2022-01-07
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第8题
有关于均匀形核的形核功的叙述中,错误的是()
A．形成临界晶核时,体积自由能的下降只补偿了表面能的2/3,还有1/3的表面能没有得到补偿,需要另外供给,即需要对形核做功,故称ΔGK为形核功。
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B．形核功是过冷液体形核时的主要障碍,过冷液体需要一段孕育期才开始结晶的原因正在于此。
C．若晶胚的半径大于r0,液、固两相体积自由能差值大于晶胚的表面能,驱动力大于阻力,晶胚就可以转变成为稳定晶核,而不再需要外界提供能量了。
D．过冷液相中的相起伏和结构起伏是形核的基础,任何一个晶核都是这两种起伏的共同产物。
