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[主观题]

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

提问人:网友18***469 发布时间:2022-01-07
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第1题
某场效应管的IDSS为6mA,而ID从漏极流出,大小为8mA,则该管为:

A、P沟道结型管

B、N沟道结型管

C、耗尽型PMOS管

D、耗尽型NMOS管

E、增强型PMOS管

F、增强型NMOS管

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第2题
采用场效应管FET的混频器比采用双极型管的混频器,产生的组合频率更()。
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第3题
单电源运放的工作电源为[图],如果偏置电压设置为[图]...

单电源运放的工作电源为,如果偏置电压设置为时,理论分析其输出最大动态范围近似为( )。

A、

B、

C、

D、2VCC

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第4题
判断题:可以采用小信号模型对场效应管静态工作点进行分析( )
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第5题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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第6题
关于可逆过程和不可逆过程的判断:①可逆热力学过程一定是准静态过程。②准静态过程一定是可逆过程。③不可逆过程就是不能向相反方向进行的过程。④凡有摩擦的过程,一定是不可逆过程。以上四种判断,其中正确的是()。
A、①②③

B、①②

C、②④

D、①④

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第7题
试画出下列三种已调信号的波形和频谱图。已知ωc>>Ω。

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第8题
在50周交流电路中有变阻器和自感为0.10亨的线圈串联,在总电压和电流之间有位相差φ=30',此变阻器的电阻等于多少?要消除位相差,需串联入多大的电容?若与LR并联时需多大电容?

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第9题
插人与删除操作是数据结构中最基本的两种操作,因此这两种操作在数组中也经常使用。()

此题为判断题(对,错)。

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