更多“与双阱工艺相比,单阱工艺简单且成本低,但亚微米工艺通常需要(…”相关的问题
第2题
解释LOCOS、STI、LDD、双阱、BI-CMOS工艺?
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第3题
外延双阱工艺的优点包括
A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应
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第4题
采用双阱工艺,可以实现PMOS和NMOS的独立控制。
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第5题
N阱CMOS工艺中,为保证电路的功能,N阱接在电路的最低电位。
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第6题
在高阻衬底上形成具有较高浓度的P阱和N阱,NMOS和PMOS 分别做在这两个阱区中的工艺称为
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第7题
2.写出单层多晶双层金属N阱CMOS工艺的主要流程
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第8题
以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
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第9题
P衬N阱CMOS工艺中,Cascode放大器中两个尺寸相同且均工作在饱和区的NMOS管具有不相同 。
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