提高微机保护装置抗干扰能力应该针对电磁干扰的三要素,采取相应的技术措施,其中最基本措施是()
A.降低装置本身对电磁干扰的敏感度
B.防止干扰进入弱电系统
C.消除或抑制干扰源
D.切断电磁耦合途径
A.降低装置本身对电磁干扰的敏感度
B.防止干扰进入弱电系统
C.消除或抑制干扰源
D.切断电磁耦合途径
A. 交流电流、交流电压回路
B. 直流电源入口处
C. 交流电流、交流电压回路和直流电源入口处
D. 交流电流、交流电压回路和直流电源出口处
B、保护装置强弱电平回路的配线要隔离。跳闸、信号等外引电路要经过触点过渡或光电耦合器隔离
C、发电厂、变电所的直流电源不宜直接与电子回路相连(例如经过逆变换器)
D、消除电子回路内部干扰源, 例如在小型辅助继电器的线圈两端并联二极管或电阻、电容, 以消除线圈断电时所产生的反电动势
A. 引入的回路导线应直接焊在抗干扰电容的一端,抗干扰电容的另一端并接后接到屏的接地端子上
B. 经抗干扰处理后,引入装置在屏上的走线应远离直流操作回路的导线及高频输入的导线
C. 引入装置逆变电源的直流电源应经抗干扰处理
D. 弱信号线不得与有强干扰的导线相邻近
B、所有隔离变压器(电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等)的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层,屏蔽层应在保护屏可靠接地。
C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点,进入保护后应经光电隔离。
D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出
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