A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子;
B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴;
C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心;
D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。
A.通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体
B.在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略
C.根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式
D.根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质
在半导体中,参与导电的不仅有(),而且还有(),这是半导体区别导体导电的重要特征。N型半导体主要靠()导电,P型半导体主要靠()导电。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
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