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[主观题]
现有三块半导体硅材料，已知在室温下（300K)它们的空穴...
现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为
，
，
。 (1) 分别计算这三块材料的电子浓度
、
、
； (2) 判别这三块材料的导电类型；(3) 分别计算这三块材料的费米能级位置。
提问人：网友workhere
发布时间：2022-01-07
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A、电子
B、空穴
C、声子
D、不确定
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第2题
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结,计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）
第9题
1）试说明在室温下，某半导体的电子浓度[图]时，其电导率...
1）试说明在室温下，某半导体的电子浓度
时，其电导率σ 为最小值。式中是ni 本征载流子浓度，
、
分别为空穴和电子的迁移率。试求在上述条件下的空穴浓度。 2) 当
，
，
，试求锗的本征电导率
和最小电导率
。
