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兴奋性突触后电位(EPSP)

兴奋性突触后电位(EPSP)

提问人:网友anonymity 发布时间:2022-01-06
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第1题
IPSP是(),可以进行时间和空间累加,突触后神经元的效应取决于IPSP与EPSP的代数和。

A.抑制性突触后电位

B.抑制性

C.兴奋性

D.兴奋性突触后电位

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第2题
EPSP是(),可以进行时间和空间总和效应。

A.兴奋性

B.抑制性

C.兴奋性突触后电位

D.抑制性突触后电位

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第3题
兴奋性突触后电位(EPSP)和。。。(IPSP)共有的特点是()

A.突触前膜均去极化

B.突触前膜均超极化

C.突触后膜均去极化

D.突触后膜均超极化

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第4题
兴奋性突触后电位(EPSP)是发生在突触后膜上的A.超极化B.去极化C.复极化D.动作电位E.静息电位

兴奋性突触后电位(EPSP)是发生在突触后膜上的

A.超极化

B.去极化

C.复极化

D.动作电位

E.静息电位

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第5题
产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()

A.突触前末梢递质释放增多

B.需由中间神经元中介

C.突触后膜K+电导降低

D.突触后膜Na+电导增加

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第6题
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的A.K+、Na+,尤其是K+B.K+、Na

兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的

A.K+、Na+,尤其是K+

B.K+、Na+,尤其是Na+

C.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-

D.K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-

E.K+、Cl-,尤其是Cl-

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第7题
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第8题
关于兴奋性突触后电位(EPSP)产生的叙述,哪一项是错误的A.突触前轴突末梢去极化B.Ca2+由膜外进入

关于兴奋性突触后电位(EPSP)产生的叙述,哪一项是错误的

A.突触前轴突末梢去极化

B.Ca2+由膜外进入突触前膜内

C.突触小胞释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对Na+、K+、Ca2+,特别对K+的通透性升高

E.突触后膜产生去极化

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第9题
产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()

A.须由中间神经元介导

B.突触前未梢递质释放增多

C.突触后膜K+通透性降低

D.突触后膜Na+通透性增加

E.突触后膜神经元受刺激而兴奋

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第10题
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的()

A.K+、Na+,尤其是K+

B.K+、Na+,尤其是Na+

C.K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-

D.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-

E.K+、Cl-,尤其是Cl-

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