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[主观题]
使用晶体管时，只要（1)集电极电流超过ICM值。（2)耗散功率超过PCM值。（3)集一射极电压超过U（BR)CEO值，晶体管就
使用晶体管时，只要(1)集电极电流超过ICM值。(2)耗散功率超过PCM值。(3)集一射极电压超过U(BR)CEO值，晶体管就必然损坏，上述几种说法是否都是对的？
提问人：网友anonymity
发布时间：2022-01-06
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第2题
某一谐振功率放大器的晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.8S...
某一谐振功率放大器的晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.8S，选定集电极电源电压VCC=24V，通角θc=70°，集电极电流脉冲的振幅ICM=2.2A，并工作于临界工作状态。试求：集电极电源电压VCC提供的功率P=和集电极耗散功率Pc。
；当基极开路时，集电极-发射级的反向电流定义为
。β为共射级电流放大系数。则
第10题
高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz,β=20,集电极最大允许耗散功率PCM =20W,饱和临界线跨导gcr=0.8AV,
高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz，β=20，集电极最大允许耗散功率PCM=20W，饱和临界线跨导gcr=0.8A/V，用它做成2MHz的谐振功率放大器，选定VCC=24V，θc=70°，ICM=2.2A，并工作在临界状态。试计算Rp、Po、Pc、ηc和
。
