霍尔传感器一般采用半导体材料而不采用金属导体材料，是因为金属导体不存在霍尔效应。（)

如图所示，处在某匀强磁场中的载流金属导体中出现霍尔效应，测得上下两底面M、N之间的电势差为V，则图中所加匀强磁场的方向为

金属材料导电性能出色，非常适合制作成霍尔传感器。

霍尔效应测量力的原理是力作用在半导体材料上，然后产生( )。

利用霍尔效应可以测量某点的磁场

利用霍尔效应可以判断半导体类型。()

对于金属导体和半导体材料而言,都能产生霍尔效应,只不过,半导体材料的灵敏度要大一些,适合于作霍尔元件()

磁阻效应：载流导体置于磁场中,除了产生霍尔效应外,导体中载流子因受洛仑兹力作用要发生偏转,载流子运动方向偏转使电流路径变化,起到了加大电阻的作用,磁场越强增大电阻的作用越强。

霍尔元件根据霍尔效应原理制成，一般采用( )等半导体单晶材料制作。

霍尔元件控制电流也可以是交流电，对应得到的霍尔电压则为交流电压。