题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下面有关MOS管的说法正确的是（）
A.MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B.MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C.MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D.NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
提问人：网友chinalex
发布时间：2022-01-07
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第6题
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：
A.当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D.p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第8题
以下关于MOS管的说法正确的是
A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
第9题
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（）。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
