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[主观题]

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

提问人:网友18***590 发布时间:2022-05-30
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第1题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()

A.

B.

C.

D.

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第2题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()

A.

B.

C.

D.

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第3题
在本征硅半导体中,掺入浓度为[图][图]的受主杂质,当T=...

在本征硅半导体中,掺入浓度为的受主杂质,当T=300K时,所形成的杂质半导体类型为_______型。若再掺入浓度为的施主杂质,则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=500K,则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=600K,则半导体类型为________。(填写N、P或者本征半导体)

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第4题
掺有杂质的半导体称为()。A.本征半导体B.天然半导体C.杂质半导体D.硅半导体

掺有杂质的半导体称为()。

A.本征半导体

B.天然半导体

C.杂质半导体

D.硅半导体

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第5题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第6题
温度为300K的本征硅半导体()掺入的砷原子,计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为()

A.

B.

C.

D.

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第7题
温度为300K的本征硅半导体()掺入的砷原子,计算掺杂后硅半导体电子浓度为()

A.

B.

C.

D.

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第8题
温度为300K的本征硅半导体掺入的砷原子,计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为()

A.

B.

C.

D.

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第9题
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第10题
在本征半导体中掺人 价元素的杂质可形成P型半导体材料,掺人 价元素的杂质可形成N型半导体材料。 (A)三 (B) 四 (C)五 (D)六
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