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[单选题]

SiHCl3还原法制备晶体硅,在生产过程中不需要控制()

A.反应温度在280℃~300℃之间

B.硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥

C.晶体生长速度

D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度

提问人:网友lixin080108 发布时间:2022-01-07
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第1题
SiHCl3还原法制备晶体硅,在生产过程中不需要控制()

A.反应温度在280℃~300℃之间

B.硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干

C.晶体生长速度

D.合成时加入少量的催化剂,可降低温度

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第2题
多晶硅制备常采用四氯氢硅还原法制备。
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第3题
以氨还原剂,在一定湿度和催化剂作用下将NOX还原为无害的N2<£¯sub>和H2<£¯sub>O,通称为()。

A.非选择性催化还原法

B.选择性催化还原法

C.催化还原法

D.气相反应法

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第4题
在10kV跌落式熔断器与10kV电缆头之间,宜加装什么装置?

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第5题
与混凝土结构中钢筋锈蚀无关的是()
A.混凝土的液相PH值

B.氯离子含量

C.混凝土的保护层厚度

D.钢筋直径

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第6题
当大体积混泥土结构平面尺寸不大而厚度较大时,宜采用()方法进行浇注
A.全面分层

B.分段分层

C.斜面分层

D.局部分层

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第7题
薄膜光伏电池制备工艺中,等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是()
A.PVD

B.LPVCD

C.PEVCD

D.LVCD

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第8题
生物性状的主要控制者和主要体现者依次是()
A.DNA(基因)和蛋白质(性状)

B.染色体和DNA

C.RNA和蛋白质

D.细胞核和蛋白质

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第9题
制作环氧树脂电缆头和调配环氧树脂工作应采取什么措施?

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