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[单选题]

半导体的压阻效应主要体现在()。

A.外形

B.电阻率

C.结构

D.泊松比

提问人:网友zhangwe2019 发布时间:2022-01-07
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匿名网友 选择了B
[113.***.***.98] 1天前
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[249.***.***.84] 1天前
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[44.***.***.150] 1天前
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[202.***.***.108] 1天前
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[54.***.***.53] 1天前
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[236.***.***.147] 1天前
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第1题
半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应
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第2题
电阻应变片的原理是?

A、应变效应

B、光电效应

C、热电效应

D、压电效应

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第3题
霍尔效应测量力的原理是力作用在半导体材料上,然后产生( )。

A、电动势

B、电阻

C、电荷变化

D、导磁率变化

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第4题
压阻式固态压力传感器是利用半导体材料的_压电_效应,在压力作用下,半导体膜片产生变形,电阻值发生变化。四个半导体应变片可以组成全桥。
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第5题
半导体应变片以压阻效应为主,它的灵敏度系数为金属应变片的高 倍。(填“十”或“百”)
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第6题
半导体材料的应变效应以结构尺寸为主,金属材料的电阻变化主要基于压阻效应。
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第7题
下列传感器中()是基于压阻效应的。

A. 金属应变片

B. 半导体应变片

C. 压敏电阻

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第8题
电阻应变片有很多种,下面属于电阻应变片的是( )。

A、丝式应变片

B、箔式应变片

C、薄膜应变片

D、半导体应变片

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第9题
( )的基本工作原理是基于压阻效应。

A、金属电阻应变片

B、半导体电阻应变片

C、压敏电阻

D、压电陶瓷

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