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[主观题]

硅二极管的死区电压为 0.5V,导通电压为()

A.0.2V

B.0.3V

C.

C.0.5V

D.0.7V

提问人:网友michelle101 发布时间:2022-01-07
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第1题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
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第2题
锗二极管的导通电压(),死区电压()。硅二极管的导通电压(),死区电压()。 (a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.

锗二极管的导通电压( ),死区电压( )。硅二极管的导通电压( ),死区电压( )。

(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V

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第3题
一般我们取硅二极管的死区电压为0.5V,正向导通电压为0.7V()
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第4题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第5题
硅材料二极管的导通电压约为:()A、0.3VB、0.5VC、0.7

硅材料二极管的导通电压约为:()

A、0.3V

B、0.5V

C、0.7

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第6题
Si二极管的导通电压和死区电压分别为()

A.0.7V,0.3V

B.0.3V,0.2V

C.0.7V,0.5V

D.0.5V,0.2V

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第7题
锗、硅二极管的导通电压分别为0.2V、0.5V。()
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第8题
在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示 。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V()
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第9题
硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V()
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