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[判断题]

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高（）

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07

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第1题

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

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第2题

半导体的掺杂浓度越高，载流子迁移率越低

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第3题

在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

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第4题

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（)。

A．温度

B．掺杂工艺

C．掺杂浓度

D．晶格缺陷

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第5题

轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低

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第6题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（);当杂质浓度一定时，少数载流子的浓度与（)有关。

A．掺杂种类

B．掺杂浓度

C．温度

D．电压

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第7题

反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

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第8题

位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶()

此题为判断题(对，错)。

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