题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
P型半导体的特征是?()
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
提问人:网友Dume2021
发布时间:2022-01-07
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
A、电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
B、施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体
C、通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体
D、通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体
B.在N型半导体内掺入足够的三价元素,可以将其改型为P型半导体
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴,少子是自由电子,因此P型半导体带正电
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