一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处（Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在

一n型半导体样品中复合中心能级E_t在导带底E_c之下E_g/3处(E_g为禁带宽度)，设τ_p和τ_n分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。