如图所示，一个半径为R的无限长半圆柱面导体，沿长度方向的电流I在柱面上均匀分布．求半圆柱面轴线OO'上的

如图5—12所示，S₁、S₂为波长λ=8.00m的两简谐波相干波源，S₂的相位比S₁的相位超前π/4。S₁在P点引起的振动振幅为0.30m，r₁=12.0m；S₂在P点引起的振动振幅为0.20m，r₂=14.0m。求P点的合振动的振幅。

一电子被限制在宽度为1.0×10^-10m的一维无限深势阱中运动。

在一个无源电介质中，已知电场E=Ce_xcos(ωt-βz)V/m，问在什么条件下，E才能够存在，其他场量为何?

圆柱形电容器是由半径为R₁的导线和与它同轴的导体圆筒构成，圆筒内半径为R₂，长为l，其间充满相对电容率为ε_r的介质．设导线沿轴线单位长度上的电荷为λ₀，圆筒上单位长度的电荷为-λ．忽略边缘效应，求：

当质点以频率v作简谐运动时，它的动能的变化频率为(  )。

  (A)  (B) v  (C) 2v  (D) 4v