题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
Growth of silicon () occurs in oxygen at 800oC----1200oC.
提问人:网友supermg
发布时间:2022-01-07
A、静态NAT、动态NAT和混合NAT
B、静态NAT、网络地址端口转换PAT和混合NAT
C、静态NAT、动态NAT和网络地址端口转换PAT
D、动态NAT、网络地址端口PAT和混合NAT
A、A. at
B、B. in
C、C. on
D、D. with
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!