题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关：（）。

A.氧化层电容

B.沟道长度

C.载流子迁移率

D.电源电压

提问人：网友陈银桑 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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更多“MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关：（）。”相关的问题

第1题

下列有关晶体管截止频率的说法正确的是()。

A、截止频率为电流放大系数下降了低频值的后的频率

B、截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率

C、截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率

D、截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率

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第2题

场效应管的跨导[图]＝[图]/[图]...

场效应管的跨导＝/

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第3题

以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

A、采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B、降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C、减小发射结和集电结面积以减小电容

D、适当降低集电区电阻率和厚度

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第4题

晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）

A. β=β₀时的工作频率

B. β=0.707β₀时的工作频率

C. β=2β₀时的工作频率

D. β=1时的工作频率

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第5题

常用的交流整流电路有哪几种？

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第6题

高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高。

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第7题

导致MOSFET晶体管出现非零漏电导的因素不包括()。

A、沟道长度调制效应

B、漏电场静电反馈效应

C、漏感应势垒降低

D、亚表面穿通效应

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第8题

共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率,和特征频率无关。()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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