烧结意味着固体粉末状成型体在高于其熔点温度下加热，使物质自发地填充颗粒间隙而致密化的过程

自身釉烧结的温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

用釉粉上釉的烧结温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

除气、氧化的方法是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

除气、氧化的目的是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

A.两者相同

B.前者稍稍高于后者

C.前者稍稍低于后者

D.前者明显高于后者

E.前者明显低于后者

A. 两者相同

B. B.前者稍稍高于后者

C. C.前者稍稍低于后者

D. D.前者明显高于后者

E. E.前者明显低于后者

A.Cr

B.Cu

C.Cl

A.Cr；

B. Cu：

C. Cl