题目内容
(请给出正确答案)
[多选题]
关于pn结的注入特性,以下说法正确的是?()
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
提问人:网友Dume2021
发布时间:2022-01-07
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
B、能带在交界面处,有一个突变(导带阶和价带阶)
C、能带的变化是连续的
D、能带的变化与两种材料的费米能级无关
B、对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C、对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D、对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E、对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
B、室温时,p型半导体的霍耳系数为正
C、n型半导体的霍耳角为负
D、p型半导体的霍耳角为正
E、室温时,n型半导体的霍耳系数为正
F、室温时,p型半导体的霍耳系数为负
B.按排序码值从大到小排列
C.随机排列(完全无序)
D.基本按排序码值升序排列
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