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[主观题]

IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而________,开关速度________电力MOSFET 。

提问人:网友liangsaiming 发布时间:2022-01-06
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第1题
逆变器经过IGBT开关的控制,输出电压波形为方波。( )

此题为判断题(对,错)。

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第2题

为什么IGBT是电导调制性场效应管?

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第3题

使MOSFET开通的驱动电压一般为 V,使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。

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第4题

上海地铁AC01/AC02型电动列车辅助逆变器是电压型逆变器

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第5题

比较电力MOSFET与IGBT内部结构,说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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第6题

功率MOSFET对驱动电路的要求是()。

A. 驱动信号的前后沿陡峭

B. 驱动信号的电压应高于开启电压

C. 信号电压应低于栅源击穿电压

D. 截止时应加小于栅源击穿电压的电压

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第7题

高频静电感应晶体管(SIT)比绝缘栅双机型晶体管(IG-BT)适用的频率更高。

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第8题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。...

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。

A. 绝缘栅场效应管

B. 结型场效应管

C. 绝缘栅双极晶体管

D. 双极型功率晶体管

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第9题

关于IGBT元件,下列说法正确的是()

A、是电压型元件

B、是电流型元件

C、是全控可控硅元件

D、开关速度较慢

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