题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。

A、GTR

B、GTO

C、MOSFET

D、达林顿管

提问人:网友chenyonghui 发布时间:2022-01-06
参考答案
查看官方参考答案
如搜索结果不匹配,请 联系老师 获取答案
更多“下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。”相关的问题
第1题
下列全控型开关器件中属于电压性驱动的有()

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

E.GTO

点击查看答案
第2题
下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

点击查看答案
第3题
下列全控型开关器件中属于电流性驱动的有()

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

E.GTO

点击查看答案
第4题
下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

E.GOT(GTO)

点击查看答案
第5题
下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

E.GOT(GTO)

点击查看答案
第6题
下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()

A.IGBT

B.GTO

C.MOSFET

D.SITH

点击查看答案
第7题
下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()。

A.IGBT

B. GTO

C. MOSFET

D. SITH

点击查看答案
第8题
下列全控型开关器件中属电流型驱动的有()。

A.GTR

B.IGBT

C.MOSFET

D.达林顿管

E.GTO

点击查看答案
第9题
关于IGBT说法错误的是()

A.IGBT相对于MOSFET开关频率较低

B.IGBT相对于MOSFET耐压值较小

C.IGBT相对于MOSFET更可工作在大功率环境下

D.IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式半导体器件

点击查看答案
第10题
GTR是电压驱动型自关断全控器件。()
点击查看答案
账号:
你好,尊敬的用户
复制账号
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改
欢迎分享答案

为鼓励登录用户提交答案,简答题每个月将会抽取一批参与作答的用户给予奖励,具体奖励活动请关注官方微信公众号:简答题

简答题官方微信公众号

警告:系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!

微信搜一搜
简答题
点击打开微信
警告:系统检测到您的账号存在安全风险
抱歉,您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封,或联系客服
微信搜一搜
简答题
点击打开微信