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[判断题]

MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成的机理不同，NMOS和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种（）

提问人：网友154336271 发布时间：2022-11-02
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第1题
MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成的机理不同，NMOS和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种（）
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第2题
按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（)

A.耗尽型

B.增强型

C.P沟道

D.N沟道

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第3题

A.N沟道JFET

B.P沟道JFET

C.N沟道增强型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

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第4题
【单选题】下图所示特性曲线对应的器件为（） [图]A、N沟...

【单选题】下图所示特性曲线对应的器件为（）

A、N沟道JFET

B、P沟道JFET

C、N沟道耗尽型MOSFET

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第5题
p沟道MOSFET，其衬底为（）型，当栅极施加适当负压后，可形成（）导电沟道。
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第6题
N沟道增强型MOSFET的VGS的作用是形成导电沟道,VDS的作用是使沟道内载流子产生定向移动和产生沟道夹断（）
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第7题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
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第8题
单极型晶体管又称为______。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

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第9题
电力MOSFET导通表述正确的是：

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

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第10题
JFET和MOSFET都有N沟道和P沟道之分，而且还都有增强型和耗尽型之分。
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第11题
增强型MOSFET导电沟道的形成是由衬底中的多子产生的（）
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