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第1题
直流偏置电路有固定偏流、电压负反馈、分压式电流负反馈等电路。其中以()负反馈电路的稳定性最好,应用也最广泛。
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第2题
分压式偏置电路的静态工作点与三极管的参数无关。()
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第3题
在分压式射极偏置放大器中是靠发射极电阻Re的负反馈作用来稳定静态工作点的。
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第4题
集电极-基极偏置放大器的静态工作点不稳定,易受温度影响。() 第 一种是固定偏置放大电路。 第二种是分压式射极偏置电路。 第三种为: 集电极—基极偏置电路,它是利用电压负反馈作用来稳定静态工作点的,称为电压负反馈偏置电路。 集电极—基极偏置电路稳定静态工作点原理是:当温度上升时,由于三极管参数的影响,使 ICQ 增大,集电极负载电阻 R c 上的电压降随之增大,导致 VCEQ 减小, IBQ 减小
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第5题
Rb由120K改为39K时,三极管的工作状态有何变化?(V为硅管,计算时忽略其导通电压)
A、改变到饱和区
B、改变到截止区
C、无改变
D、有改变,不确定
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第6题
在分压式偏置稳定的共射放大电路中,设置射极旁路电容 C E 的目的是 ()
A.旁路交流信号,使 Au 不致降低
B.隔直
C.稳定 Q 点
D.提高电流增益
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第7题
对于分压式偏置电路而言,只要满足I2>> IB和UB>> UBE这两个条件,静态工作点能得以基本稳定。
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第8题
下图所示为分压式偏置共发射极放大电路,在组装电路时,如Ce虚焊,说法正确的是()
A.电压放大倍数变大
B.会改变三极管的工作状态
C.电压放大倍数变小
D.会改变放大电路的静态工作点
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第9题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。
A、为P沟道增强型MOS管,Up=1V
B、为N沟道耗尽型MOS管,UT=1V
C、为N沟道增强型MOS管,UT=1V
D、为P沟道结型场效应管,Up=1V
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