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（请给出正确答案）
[单选题]
迁移电流来源于
A.滴汞电极与溶液界面上双电层的充电过程
B.溶液中微量的易在滴汞电极上还原的杂质
C.扩散作用，被测离子向电极表面附近扩散
D.电解池的正负极对被分析离子的库仑力
提问人：网友zixiong
发布时间：2022-01-06
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A. 电极表面双电层的充电过程
B. 底液中的杂质的电极反应
C. 电极表面离子的扩散
D. 电解池中两电极间产生的库仑力
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第6题
机械性迁移是污染物在环境中发生迁移的常见方式，根据污染物在环境中发生机械性迁移的作用力来源不同，可以将其分为：
A、气的机械性迁移作用
B、水的机械性迁移作用
C、重力的机械性迁移作用
D、生物的机械性迁移作用
第7题
迁移率与杂质浓度和温度的关系为:()。
A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
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B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第8题
迁移率（名词解释题）
迁移率与杂质浓度和温度的关系为：()。
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A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第9题
为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。
A、漏区和源区的电压降可以忽略不计
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B、沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C、在沟道内载流子的迁移率为常数
D、其他选项都正确
