题目内容
（请给出正确答案）
电路如图4.40所示，晶体管的β=50，|UBE|=0.2V，饱和管压降|UCES|=0.1V；稳压管的稳定电压UZ=5V，正向导通电压UD=0.5V。试问：
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电路如图4.39所示，晶体管导通时UBE=0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下晶体管的工作状态及输出电压Uo的值。
(1)静态工作点;
(2)差模电压放大倍数和共模电压放大倍数;
(3)共模抑制比;
(4)差模输入电阻和输出电阻。
两级放大电路如图4-88所示，电源电压UCC=12V，晶体管电流放大系数β1=β2=50，RB=360kΩ，RE1=4.3kΩ，RB1=18kΩ，RB2=7.5kΩ，RC=2.4kΩ，RE2=1.5kΩ，RS=10kΩ，RL=3.6kΩ，C1、C2、C3和CE的电容足够大，求：
(1)VT1和VT2管的静态工作点;
(2)绘出整个电路的微变等效电路;
(3)电压放大倍数Au≈？输入电阻ri=？输出电阻r0=？：
,晶体管UBE=0.7V,β=50。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人电阻和输出电阻。
A.IC1=IC2=0.5mA,UC1=UC2=4.5V Aud=-189.87
B.IC1=IC2=1mA,UC1=UC2=4.5V Aud=-189.87
C.IC1=IC2=1mA,UC1=UC2=6V Aud=-189.87
D.IC1=IC2=0.5mA,UC1=UC2=4.5V Aud=200
测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的原理是什么？
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
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