题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

提问人：网友Dume2021 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()

A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

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第2题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

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第3题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()

A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

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第4题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()

A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

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第5题

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B、简并电子气体

C、范德瓦尔斯气体

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第6题

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第7题

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第8题

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B、

C、

D、

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第9题

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