引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用。

B、∝W/L

C、∝L

D、∝Cox

此题为判断题(对，错)。

A、(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

B、(a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET, c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

C、(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET;

D、(a)N沟道JFET, (b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道JFET, (d)P沟道增强型MOSFET;

此题为判断题(对，错)。

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在U_GS作用下形成漏极电流I_D。

A. U_GS＞U_T

B. U_GS＜U_T

C. U_GS=0

D. U_GS＞U_T

A、JFET

B、EMOS

C、DMOS

D、NMOS