绝缘栅双极晶体管的开关速度（)电力晶体管。A.低于B.等于C.稍高于D.明显高于

A、晶闸管（SCR）

B、门极可关断晶闸管（GTO）

C、电力场效应管（电力MOSFET）

D、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

A. 肖特基二极管

B. 可关断晶闸管

C. 电力晶体管

D. 可关断晶闸管

A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长

A. 双极控制层

B. 极控制层

C. 换流器控制层

D. 阀控制单元

A. 继电器

B. 双极型晶体管

C. MOS场效应晶体管

D. 二极管

A. 二极管

B. 三极管

C. 晶体管

D. 可控硅