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[主观题]
源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上的[图]，图中...
源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上的![源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上的[图]，图中...源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上](http://static.jiandati.com/7e144d1-chaoxing2016-133257.png)
，图中电阻单位为Ω。 （1）画出小信号等效电路； （2）求![源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上的[图]，图中...源极输出器电路如图，已知场效应管工作点上](http://static.jiandati.com/d36bb1b-chaoxing2016-133234.png)
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提问人：网友hdm191
发布时间：2022-01-07
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源极跟随器如图所示
， 场效应管
，
。静态工作点的
mA
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第2题
源极输出器电路如下图所示。已知FET工作点上的互导gm=0.9mS，其他参数如图所示。求电压增益Av、输入电阻Ri和输
- 源极输出器电路如下图所示。已知FET工作点上的互导gm=0.9mS，其他参数如图所示。求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
第3题
放大电路如图，已知场效应管的，[图]，[图]。各电容都足够...
放大电路如图，已知场效应管的，
，
。各电容都足够大，图中电阻单位为Ω。 （1）画出小信号等效电路； （2）求
、
、
； （3）若电容
开路，重新求的值。
第4题
由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
A.静态工作点过于靠近截止区
B.静态工作点过于靠近饱和区
C.静态工作点过于靠近恒流区
D.静态工作点过于靠近击穿区
第5题
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中，电流源输出电阻(图中未画出)，
电路如图题7.2.3（主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中，电流源输出电阻（图中未画出)，
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电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中
，电流源输出电阻
(图中未画出)
，求单端输出时的
。
第6题
图所示电路为源极输出器，已知UDD＝12 V，RG＝1 MΩ，RS＝12 kΩ；RL＝12 kΩ，场效应管的gm＝5 mA/V。求输入电阻ri、输出电阻ro和电压放大倍数u。 
图所示电路为源极输出器，已知UDD＝12 V，RG＝1 MΩ，RS＝12 kΩ；RL＝12 kΩ，场效应管的gm＝5 mA/V。求输入电阻ri、输出电阻ro和电压放大倍数u。
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第8题
已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：
A.该场效应管为增强型NMOS管。
B.该场效应管为增强型PMOS管。
C.电路组态是共源放大电路。
D.电路组态是共漏放大电路。
E.电路组态是共栅放大电路
第9题
由增强型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
A.静态工作点过于靠近饱和区
B.静态工作点过于靠近截止区
C.静态工作点过于靠近恒流区
D.静态工作点过于靠近击穿区
第10题
源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1
，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为________，输出电阻约为________。
，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为________，输出电阻约为________。
A.8，0.5kW
B.0.89，0.5kW
C.0.89，2W
D.1，2W
