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[主观题]

晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。A.2个B.3个C.4个D.5个

晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。

A.2个

B.3个

C.4个

D.5个

提问人:网友ssl508 发布时间:2022-01-06
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更多“晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。A.2个B.3个…”相关的问题
第1题
()的单项导电性决定了,他是二极管、三极管、晶闸管以及半导体集成电路等半导体器件的核心部分。
()的单项导电性决定了,他是二极管、三极管、晶闸管以及半导体集成电路等半导体器件的核心部分。

A、P型半导体

B、PN结

C、N型半导体

D、以上都不对

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第2题
()是三个PN结、四层结构的半导体器件

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.晶闸管

D.齐纳管

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第3题
如下,对晶闸管的半导体结构描述正确的是:

A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。

B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构。

C.晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。

D.晶闸管具有PN或NP两层半导体结构。

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第4题
晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成。
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第5题
晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成。()
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第6题
某台他励直流电动机PN=20kW,nN=1100r/min,由单独的晶闸管整流装置供电,用改变晶闸管整流装置的输出电压来调

某台他励直流电动机PN=20kW,nN=1100r/min,由单独的晶闸管整流装置供电,用改变晶闸管整流装置的输出电压来调节电动机的转速。电动机的输出功率P=f(t)及n=f(t)如下图所示。转速变化的散热恶化系数a按下列规律变化:

某台他励直流电动机PN=20kW,nN=1100r/min,由单独的晶闸管整流装置供电,用改变晶闸管

试用等效功率法校验发热。

某台他励直流电动机PN=20kW,nN=1100r/min,由单独的晶闸管整流装置供电,用改变晶闸管

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第7题
晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。
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第8题
晶闸管是一个四层三端元件元件,其内部有()PN结。
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第9题
晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。
晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。

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第10题
晶闸管是一个四层三端元件元件,其内部有()PN结

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