题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

提问人：网友黄静 发布时间：2022-05-07

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第1题

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有()

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（)

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第2题

上芯在进行顶针痕迹项目检查时，必须在()以上显微镜下进行确认

上芯在进行顶针痕迹项目检查时，必须在（)以上显微镜下进行确认

A、45

B、100

C、200

D、500

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第3题

造成顶针痕迹的潜在原因有（)。

A.上芯设备三点一线偏移

B.顶针高度调试不当

C.顶针规格选用错误

D.吸嘴规格选用错误

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第4题

在大于40倍的显微镜下观察，胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。（)

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第5题

上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。（)

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第6题

上芯后兰膜检查项目有哪些（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

C.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

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第7题

在大于200倍的显微镜下观察，芯片背面出现顶针的痕迹为不良。（)

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第8题

上芯后兰膜检查项目有（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第9题

以下说法正确的有（)。

A.更换吸嘴后的首条产品，作业员送高倍检验员按照控制计划要求进行检验(一条产品的左中右区域各检3颗)，确认合格后在《上芯高倍显微镜检验记录》上盖合格章

B.高倍检验时如发现吸嘴有破裂或沾污情况，应反馈工程人员

C.上芯过程中如修改设备顶针参数，不需确认芯片背面顶针痕迹

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第10题

更换顶针时,顶针状态确认必须在100X以上显微镜下确认。（)

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第11题

上芯顶针极限寿命为一个月。（)

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