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[单选题]

A.1

B.-1

C.0

D.-2

提问人:网友jiangweiwei 发布时间:2022-01-07
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第1题
题3-2-8 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

A、MOS器件源漏精确掺杂

B、形成浅结

C、调节MOS器件阈值电压

D、形成互连

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第2题
某逻辑函数的最简与或式有3个与项,则说明

A、其卡诺图中只有3个1

B、其卡诺图中只有3个圈

C、每一个圈都是正方形

D、卡诺图中至少有两个0

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第3题
定义函数s(a,b,c){(a+b)*c;},运行后,再输入“s(1,2,3);”运行,返回的结果为()

A、6

B、8

C、9

D、12

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第4题
在平面直角坐标系中,质点的瞬时速度大小可表示为

A、

B、dy/dt

C、dx/dt

D、

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第5题
[图]A、8B、-16C、-8D、16...

A、8

B、-16

C、-8

D、16

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第6题
[图]A、2B、-2C、-8D、8...

A、2

B、-2

C、-8

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第7题
[图]A、14B、28C、-14D、-28...

A、14

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第8题
[图]A、abcd-6adB、abcd+6adC、abcd-6bcD、abcd+6bc...

A、abcd-6ad

B、abcd+6ad

C、abcd-6bc

D、abcd+6bc

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