题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（）。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

提问人：网友citykonke 发布时间：2022-01-07

参考答案

查看官方参考答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

网友答案

查看全部（）

· 有7位网友选择 D，占比58.33%
· 有4位网友选择 C，占比33.33%
· 有1位网友选择 A，占比8.33%

ABCD

提交我的答案

登录提交答案，可赢取奖励机会。

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！

更多“从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（）。”相关的问题

第1题

晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。

A.高；低

B.高；高

C.低；低

D.低；高

点击查看答案

第2题

从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施。

A.发射区掺杂浓度高，集电结面积大

B.发射区掺杂浓度高，集电结面积小

C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小

D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大

点击查看答案

第3题

【单选题】BJT的内部结构特点如下:（)

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

点击查看答案

第4题

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低

B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D.集电区面积大于发射区面积

点击查看答案

第5题

有关NPN型三极管内部结构特点，说法正确的是。

A.发射区的掺杂浓度比基区要低

B.集电结面积可大可小，对三极管无影响

C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响

D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高

点击查看答案

第6题

关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（B ）

A.基区很薄

B.基区掺杂浓度最高

C.发射区掺杂浓度最高

D.发射结的结面积小于集电结的结面积

点击查看答案

第7题

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。（)

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

点击查看答案

第8题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

点击查看答案

第9题

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（)

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()

点击查看答案

第10题

晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

简答题

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

简答题

点击打开微信