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[主观题]
有一场效应管电抗管电路，对10MHz主振器进行调频，得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线
有一场效应管电抗管电路，对10MHz主振器进行调频，得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0～0.628mS，取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。
提问人：网友anonymity
发布时间：2022-01-07
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第2题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为
，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
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，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
第4题
一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振
一变容管直接调频电路，如图NP5-9所示，已知
，变容管结电容
，调频指数Mf=5rad，VΩ=0时的振荡频率fc=5MHz。
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，变容管结电容，调频指数Mf=5rad，VΩ=0时的振荡频率fc=5MHz。(1)画出该调频振荡器的高频通路，变容管的直流通路和音频通路;
(2)试求变容管所需直流偏置电压VQ;
(3)试求最大频偏Δfm和调制信号电压振幅VΩm。
。
第7题
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A、P沟道结型管
B、N沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管
第8题
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率fI=1MHz,输入信号,本振电压,晶体
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中，若设输出中频频率fI=1MHz，输入信号
，本振电压
，晶体管T选用Q2N2222。(1) 选择L和C值，使输出振荡回路谐振在1MHz上，回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压VΩ的峰—峰值。(3)进行频谱分析，分别记录1MHz、2MHz、3MHz频率的谱线值。
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，本振电压，晶体管T选用Q2N2222。(1) 选择L和C值，使输出振荡回路谐振在1MHz上，回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压VΩ的峰—峰值。(3)进行频谱分析，分别记录1MHz、2MHz、3MHz频率的谱线值。
第9题
某调频波的调制信号频率F=2kHz,载波频率fc=8MHz,最大...
某调频波的调制信号频率F=2kHz，载波频率fc=8MHz，最大频率△fm=20kHz。试求：此信号经过4倍频的载波频率、调制信号频率和最大频偏。
