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[单选题]

电力晶体管的二次击穿是指一次击穿发生时增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压的陡然下降,常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变

A.I

B.I

C.Ie

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07

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第1题

电力晶体管的一次击穿是指集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,出现雪崩击穿,只要Ic 限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不变

A．超过

B．不超过

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第2题

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )

a．一次击穿 b．二次击穿

c．临界饱和 d．反向截止

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第3题

关于二次击穿，以下说法正确的是（）。

A. 大功率晶体管GTR不会发生二次击穿

B. B.功率MOSFET不会发生二次击穿

C. C.二次击穿可能使器件永久性损坏

D. D.二次击穿的过程很短暂

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第4题

电力晶体管在使用时，要防止（）。

A. 二次击穿

B. 静电击穿

C. 时间久而失效

D. 工作在开关状态

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第5题

双极型晶体管由两个背靠背的、相互作用（很靠近）的pn结组成。

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第6题

有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（　）

A、电压放大倍数和输入电阻可能和负载电阻有关

B、输出电阻可能和信号源内阻有关，和负载电阻无关

C、输入电压从基极引入时，集电极的输出电压反相，发射极的输出电压同相

D、共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率

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第7题

晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的（）。

A. 反偏电压、导通电流

B. 击穿电压、导通电流

C. 反偏电压、穿透电流

D. 击穿电压、穿透电流

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第8题

6.在如下器件中，工作频率最高的是________。

A、晶闸管（SCR）

B、门极可关断晶闸管（GTO）

C、电力场效应管（电力MOSFET）

D、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

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第9题

电力电子器件GTR表示（）。

A. 肖特基二极管

B. 可关断晶闸管

C. 电力晶体管

D. 可关断晶闸管

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