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[判断题]

在大于200倍的显微镜下观察,芯片背面出现顶针的痕迹为不良。()

提问人:网友CYH2021 发布时间:2022-01-07
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第1题
在大于40倍的显微镜下观察,胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。()

此题为判断题(对,错)。

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第2题
微观检验在()倍显微镜下观察金属的显微组织。

A. 5-40

B. 50-100

C. 100-1500

D. 2000-10000

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第3题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()
A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第4题
框架摆放不得超过小货架的边缘。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题
清洗后烘箱可以直接运行。()

此题为判断题(对,错)。

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第6题
烘烤过程中发现烘箱实际温度未升温达到标称温度值时不需反馈工艺人员。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题
待烘烤产品放入烘箱后,流程卡放入此烘箱附带文件夹。()

此题为判断题(对,错)。

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第8题
抽检产品必须使用规范匹配的托板。()

此题为判断题(对,错)。

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