题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流()。
A.减少栅极氧化层厚度
B.减少硅表面缺陷密度
C.减少漏极电压
D.减少漏极掺杂浓度
提问人:网友陈银桑
发布时间:2022-01-07
A.减少栅极氧化层厚度
B.减少硅表面缺陷密度
C.减少漏极电压
D.减少漏极掺杂浓度
A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
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