题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。（)

提问人：网友文旻昊 发布时间：2022-01-07

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第1题

短沟道效应会引起的变化是()。

A、沟道长度减小，阈值电压增大

B、沟道长度减小，阈值电压减小

C、沟道长度减小，阈值电源不变

D、沟道长度减小，阈值电压不一定

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第2题

短沟道效应会导致的后果不包括的是()。

A、阈值电压降低，器件特性改变

B、亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C、漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D、沟道电阻降低，饱和电流上升

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第3题

以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。

A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

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第4题

光电效应指的是入射光子与原子中的（）相互作用后，产生光电子的现象。

A. 原子核

B. 核外库仑场

C. 壳层电子

D. 自由电子

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第5题

同离子效应使得弱电解质的电离度降低。

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第6题

耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()

此题为判断题(对，错)。

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第7题

增强型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

热扩散方法适合做深结，离子注入法适合做浅结。

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第9题

离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。

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第10题

离子注入过程中，当剂量固定时，束流越大，扫描时间越短，则其产能越高。

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