硅二极管正常工作时正向电压降为（)V，锗二极管正向电压降为（)V。

在室温（27度)时，锗二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V;硅二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V。

A.0.5;0.2

B.0.5;0.1

C.0.3;0.2

D.0.3;0.1

约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。 2 、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。 3 、二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 4 、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。 5 、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 电子技术。 6 、PN结反向偏置时,PN结的内电场 。PN具有 特性。 7 、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。 8 、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 载流子的 运动形成。 9 、P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 、本征半导体的载流子为 。 10 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类

A.0.5

B.0.7

C.0.1

D.0.2

A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小

B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点

C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加

D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通。