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[主观题]
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
提问人：网友13***002
发布时间：2022-01-07
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第2题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
电工学第七版下册课后练习与思考题答案
14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
第6题
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为()，锗管约为();晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为()、锗管的UBE约为()。
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为（)，锗管约为（);晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为（)、锗管的UBE约为（)。
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第7题
硅三极管发射结的死区电压约__________V,锗三极管发射结的死区电压约_________V。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约_________V,锗管发射结的导通电压约_________V
第8题
锗二极管的导通电压（)，死区电压（)。硅二极管的导通电压（)，死区电压（)。 （a) 0.7V （b) 0.1V （c) 0.
锗二极管的导通电压( )，死区电压( )。硅二极管的导通电压( )，死区电压( )。
(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V
