题目内容
（请给出正确答案）
设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:
m0为电子惯性质量，
。试求:
(1)禁带宽度:
(2)导带底电子有效质量:
(3)价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量分Ev(k) 别为
mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:
①禁带宽度;
②导带底电子有效质量;
③价带顶电子有效质量;
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为
和
，式中，m0为电子惯性质量，k1 = π/a，a = 0.314 nm。试求：(1) 禁带宽度；(2) 导带底部电子有效质量；(3) 价带顶部电子有效质量；(4) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
设晶格常数为a的一维品格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev (k)分别为:
mo为电子惯性质量，k1=l/2a; a=0.314nm。 试求:
①禁带宽度:
②导带底电子有效质量:
③价带顶电子有效质量:
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
A.对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和
B.对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量
C.对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差
D.对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差
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，式中m为电子惯性质量，导带在k = 时有极值
