题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

CMP主要的工艺参数有

A.平整度

B.均匀性

C.磨除速率

D.选择比

提问人：网友qzkevin 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

CMP主要的工艺参数主要包括

A.平整度

B.研磨均匀性

C.磨除速率

D.选择比

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第2题

在CMP工艺中，如果需要磨除材料1，保留材料2，就必须使得磨除材料1的速率如果远远大于磨除材料2的速率，选择比越大，选择性就越好。（)

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第3题

CMP中的磨除速率是指CMP抛光时去除表面材料的速率，一般突出部分的磨除速率更低。

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第4题

在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性

B. 表面平整度

C. 自由应力

D. 纯净度

E. 电容

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第5题

CMP的工艺参数有哪些？

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第6题

自磨工艺参数包括（）等。

A.原矿粒度特性

B. 转速率

C. 料位（充填率）

D. 附加钢球

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第7题

浆体喷射搅拌桩施工前应选择有代表性的地段进行工艺性试验，不少于（)根，确定主要工艺参数，并报

浆体喷射搅拌桩施工前应选择有代表性的地段进行工艺性试验，不少于()根，确定主要工艺参数，并报监理单位确认。

A1

B2

C3

D5

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第8题

异种钢焊接时，选择（)主要考虑的原则是减小熔合比。A.工艺规程B.工艺参数C.额定参数D.额定电流

异种钢焊接时，选择()主要考虑的原则是减小熔合比。

A.工艺规程

B.工艺参数

C.额定参数

D.额定电流

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第9题

脱氢反应的主要工艺参数有（）。

A.温度

B. 压力

C. 空速

D. 氢烃比

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第10题

在CMP工艺中，关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是（)。

A.磨粒硬度增加，抛光速率增加，抛光效果就越好

B.只要磨粒的浓度增加，则材料去除率也一直随之增加

C.通常情况下，当磨粒尺寸增加，抛光速率增加，但磨粒尺寸过小则易凝聚成团，使硅片表面划痕增加

D.当磨粒尺寸增加，抛光速率也随之增加，抛光质量也会随之提高

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