题目内容
(请给出正确答案)
[判断题]
CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。()
提问人:网友文旻昊
发布时间:2022-01-07
A.物理
B.化学
C.物理和化学
D.化学、物理、生物或者放射性
A.化学
B.物理
C.生物
D.流速
A.化学
B. 物理
C. 生物
D. 放射性
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
A.化学
B.物理
C.环境
D.生物
E.放射性
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